|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
Lista de proiecte » Anihilarea atermica a defectelor in Ge utilizand medii cu radiatii extreme: Mit sau Realitate? |
|
|
|
|
|
Anihilarea atermica a defectelor in Ge utilizand medii cu radiatii extreme: Mit sau Realitate?
www.nipne.ro/proiecte/pn4/13-proiecte.html
Site extins: https://dfna.nipne.ro/projects.php
Acronim: ANNEAL
Autoritatea contractanta: UEFISCDI
Numar / Data contract: 93PCE / 2025-07-01
Program: PN-IV-P1-PCE-2023-0567
Director proiect: Gihan Velisa
Parteneri:
Data incepere / finalizare proiect: 2025-07-01 / 2028-06-30
Valoarea proiectului: 1.147.368 RON
Rezumat: Tratarea eficienta a defectelor induse prin implantare ionica in germaniu monocristalin, utilizand procese la temperatura joasa ("low-temperature processes"), reprezinta un obiectiv esential pentru industria semiconductorilor. Totusi, difuzia tranzitorie a speciilor implantate, generata de tratamentele termice conventionale, constituie o provocare majora. O solutie promitatoare consta in valorificarea pierderii de energie electronica (Se) a ionilor de energie medie care interactioneaza cu defectele preexistente din material - defecte similare celor produse prin implantare - pentru a reface structura cristalina deteriorata anterior la temperatura camerei. Acest proces este cunoscut sub denumirea de refacere astructurii cristaline indusa de ionizarea atermica ("Athermal Ionization-Induced Annealing", AIIA). Obiectivul principal al proiectului este dezvoltarea unui protocol de investigare a proceselor de imprastiere inelastica (excitatii, ionizari) pe defectele preexistente din semiconductori, utilizand Tandetronul de 3 MV instalat la IFIN-HH. Scopul este atat extinderea frontierelor cunoasterii privind interactia ionilor cu defectele, cat si evaluarea potentialului AIIA de a fi integrat ca etapa intermediara de fabricatie pentru anihilarea defectelor din germaniu, fara a afecta formarea jonctiunilor dopate cu bor sau fosfor. Implementarea cu succes a acestei metode ar contribui semnificativ la avansarea tehnologiilor bazate pe Ge si va spori vizibilitatea si impactul grupului nostru de cercetare in comunitatea internationala.
Obiective: Acest proiect de cercetare fundamentala isi propune sa aprofundeze intelegerea proceselor de anihilare a defectelor pre-induse prin implantare ionica in semiconductori. Studiul reprezinta un demers precursor, cu potentialul de a contribui decisiv la optimizarea protocoalelor tehnologice utilizate in industria semiconductorilor.Principalul obiectiv il constituie validarea sau invalidarea experimentala a ipotezei conform careia procesul AIIA (Athermal Ionization-Induced Annealing) nu afecteaza formarea jonctiunilor dopate cu bor sau fosfor - o directie de cercetare insuficient explorata pana in prezent. Prin rezultatele sale, proiectul va consolida vizibilitatea si impactul grupului nostru de cercetare in comunitatea stiintifica internationala si va deschide noi perspective in utilizarea proceselor la temperatura joasa pentru ingineria defectelor in materiale semiconductoare avansate.
ETAPELE PROIECTULUI SI DATELE DE PREDARE
1. Avansarea cunoasterii stiintifice a procesului de anihilare de defecte prin implantare ionica in monocristale de Germaniu (Partea I) (2025-12-31) REZULTATE / REZUMAT
2. Avansarea cunoasterii stiintifice a procesului de anihilare de defecte prin implantare ionica in monocristale de Germaniu (Partea II) (2026-12-31)
3. Validarea/invalidarea experimentala a faptului ca procesul AIIA nu impiedica
formarea jonctiunilor superficiale dopate cu B sau P (Partea I)
(2027-12-31)
4. Validarea/invalidarea experimentala a faptului ca procesul AIIA nu impiedica
formarea jonctiunilor superficiale dopate cu B sau P (Partea II)
(2028-06-30)
REZULTATE
ARTICOLE PUBLICATE
ECHIPA DE CERCETARE
Inapoi la Lista de proiecte
|
|
|
|
|
English version of the project 
|
|
|
| |
|
|
Address: Str. Reactorului no.30, P.O.BOX MG-6, Bucharest - Magurele, ROMANIA
Tel: +(4021) 404.23.00, Fax: +(4021) 457.44.40
2025 IFIN-HH. All rights reserved. |
|
| |
|
